源泉：电子产物寰宇

近日，华中科技大学与湖北九峰山执行室的商讨团队在光刻胶技能限制获取要紧施展，得胜冲破“双非离子型光酸协同增强反应的化学放大光刻胶”技能。

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在半导体制造关节，光刻胶是不行或缺的材料，其质料和性能是影响集成电路电性、制品率及可靠性的重要要素。但光刻胶技能门槛高，市集上制程厚实性高、工艺宽厚度大、普适性强的光刻胶产物历历。当半导体制造节点参加到100nm致使是10nm以下，若何产目生辨率高且截面描写优良、线边际大概度低的光刻图形，成为光刻制造的共性坚苦。

为此，华中科技大学与九峰山执行室聚拢商讨团队通过奥妙的化学结构谋略，以两种光敏单位构建“双非离子型光酸协同增强反应的化学放大光刻胶”，最终得到光刻图像描写与线边际大概度优良、space图案宽度值正态永别圭臬差（SD）极小（约为0.05）、性能优于大大量商用光刻胶。且光刻显影各范例所需时刻饱和适应半导体量产制造中对蒙胧量和坐褥效率的需求。

依托九峰山执行室工艺平台，该自主研发的光刻胶体系已完成产线初步工艺考据，并同步完成了各项技能看法检测优化，得胜买通从技能研发到产业转变的全历程。该商讨后果有望为光刻制造的共性坚苦提供明确的地方，同期为EUV光刻胶的遵守建筑作念技能储备。